MOSFET PSMN018-100ESF N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado I2PAK — Vds=100V, Id=53A, RDSon=0.018Ω, 111W
Parametros principales
| Package | I2PAK |
| tr - Rise Time | 14.1 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 53 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 111 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.018 Ohm |
¿Que es el PSMN018-100ESF?
El PSMN018-100ESF es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado I2PAK. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 53A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.018 Ohm.
Los MOSFET como el PSMN018-100ESF se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el PSMN018-100ESF
¿Que tipo de transistor es el PSMN018-100ESF?
El PSMN018-100ESF es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado I2PAK. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=53A, RDSon=0.018Ω, 111W.
¿Cual es el voltaje maximo del PSMN018-100ESF?
El PSMN018-100ESF soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el PSMN018-100ESF?
El PSMN018-100ESF viene en encapsulado I2PAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el PSMN018-100ESF?
El PSMN018-100ESF se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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