MOSFET PSMN8R0-80YL N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT669 — Vds=80V, Id=100A, RDSon=0.008Ω, 238W
Parametros principales
| Package | SOT669 |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 397 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 100 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 238 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.008 Ohm |
¿Que es el PSMN8R0-80YL?
El PSMN8R0-80YL es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT669. Soporta hasta 80V entre drain y source con una corriente maxima de 100A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.008 Ohm.
Los MOSFET como el PSMN8R0-80YL se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el PSMN8R0-80YL
¿Que tipo de transistor es el PSMN8R0-80YL?
El PSMN8R0-80YL es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT669. Sus parametros principales son: Vds=80V, Id=100A, RDSon=0.008Ω, 238W.
¿Cual es el voltaje maximo del PSMN8R0-80YL?
El PSMN8R0-80YL soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el PSMN8R0-80YL?
El PSMN8R0-80YL viene en encapsulado SOT669. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el PSMN8R0-80YL?
El PSMN8R0-80YL se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del PSMN8R0-80YL?
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