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MOS
FET

MOSFET PZP003BYB N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT523 — Vds=30V, Id=0.11A, RDSon=6Ω, 0.15W

MOSFET N-Channel SOT523 0.150 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 0.11 A

RDSon 6 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 0.15 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOT523
tr - Rise Time	45 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	11 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	0.11 A
Pd - Maximum Power Dissipation	0.15 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	6 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del PZP003BYB:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel AOD4184A MOSFET N-Channel P0425AD MOSFET N-Channel P4506BD MOSFET N-Channel P4506BV MOSFET N-Channel P45N02LDG MOSFET N-Channel P7006BL MOSFET N-Channel P7502CMG MOSFET N-Channel P7503BMG MOSFET N-Channel P75N02LDG MOSFET N-Channel PZP103BYB MOSFET N-Channel

¿Que es el PZP003BYB?

El PZP003BYB es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT523. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 0.11A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 6 Ohm.

Los MOSFET como el PZP003BYB se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el PZP003BYB

¿Con que transistor puedo reemplazar el PZP003BYB?

Los reemplazos compatibles para el PZP003BYB incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, AOD4184A, P0425AD, P4506BD, y 7 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el PZP003BYB?

El PZP003BYB es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT523. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=0.11A, RDSon=6Ω, 0.15W.

¿Cual es el voltaje maximo del PZP003BYB?

El PZP003BYB soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PZP003BYB?

El PZP003BYB viene en encapsulado SOT523. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PZP003BYB?

El PZP003BYB se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del PZP003BYB?

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