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MOS
FET

MOSFET R6020FNJ N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado LPTS — Vds=600V, Id=20A, RDSon=0.28Ω, 50W

MOSFET N-Channel LPTS 50.000 W

Parametros principales

Vds Max 600 V

Id Max 20 A

RDSon 0.28 Ω

Vgs Max 30 V

Potencia 50 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	LPTS
tr - Rise Time	80 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	1450 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	20 A
Pd - Maximum Power Dissipation	50 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	30 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	600 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.28 Ohm

¿Que es el R6020FNJ?

El R6020FNJ es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado LPTS. Soporta hasta 600V entre drain y source con una corriente maxima de 20A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.28 Ohm.

Los MOSFET como el R6020FNJ se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el R6020FNJ

¿Que tipo de transistor es el R6020FNJ?

El R6020FNJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LPTS. Sus parametros principales son: Vds=600V, Id=20A, RDSon=0.28Ω, 50W.

¿Cual es el voltaje maximo del R6020FNJ?

El R6020FNJ soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el R6020FNJ?

El R6020FNJ viene en encapsulado LPTS. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el R6020FNJ?

El R6020FNJ se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del R6020FNJ?

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