MOSFET RD3P200SNFRA N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado DPAK — Vds=100V, Id=20A, RDSon=0.046Ω, 20W
Parametros principales
| Package | DPAK |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 180 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 20 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.046 Ohm |
¿Que es el RD3P200SNFRA?
El RD3P200SNFRA es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado DPAK. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 20A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.046 Ohm.
Los MOSFET como el RD3P200SNFRA se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el RD3P200SNFRA
¿Que tipo de transistor es el RD3P200SNFRA?
El RD3P200SNFRA es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DPAK. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=20A, RDSon=0.046Ω, 20W.
¿Cual es el voltaje maximo del RD3P200SNFRA?
El RD3P200SNFRA soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el RD3P200SNFRA?
El RD3P200SNFRA viene en encapsulado DPAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el RD3P200SNFRA?
El RD3P200SNFRA se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del RD3P200SNFRA?
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