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MOS
FET

MOSFET RF1K49157 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado MS012AA — Vds=30V, Id=6.3A, RDSon=0.03Ω, 2W

MOSFET N-Channel MS012AA 2.000 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 6.3 A

RDSon 0.03 Ω

Potencia 2 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	MS012AA
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	6.3 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.03 Ohm

¿Que es el RF1K49157?

El RF1K49157 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado MS012AA. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 6.3A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.03 Ohm.

Los MOSFET como el RF1K49157 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el RF1K49157

¿Que tipo de transistor es el RF1K49157?

El RF1K49157 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MS012AA. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=6.3A, RDSon=0.03Ω, 2W.

¿Cual es el voltaje maximo del RF1K49157?

El RF1K49157 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el RF1K49157?

El RF1K49157 viene en encapsulado MS012AA. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el RF1K49157?

El RF1K49157 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del RF1K49157?

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