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MOS
FET

MOSFET RF1S9530SM P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado TO263AB — Vds=100V, Id=12A, RDSon=0.3Ω, 75W

MOSFET P-Channel TO263AB 75.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 12 A

RDSon 0.3 Ω

Potencia 75 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO263AB
Type of Control Channel	P-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	12 A
Pd - Maximum Power Dissipation	75 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.3 Ohm

¿Que es el RF1S9530SM?

El RF1S9530SM es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado TO263AB. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 12A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.3 Ohm.

Los MOSFET como el RF1S9530SM se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el RF1S9530SM

¿Que tipo de transistor es el RF1S9530SM?

El RF1S9530SM es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO263AB. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=12A, RDSon=0.3Ω, 75W.

¿Cual es el voltaje maximo del RF1S9530SM?

El RF1S9530SM soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el RF1S9530SM?

El RF1S9530SM viene en encapsulado TO263AB. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el RF1S9530SM?

El RF1S9530SM se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del RF1S9530SM?

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