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MOS
FET

MOSFET RFB18N10CS N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TS001AA — Vds=100V, Id=18A, RDSon=0.1Ω, 79W

MOSFET N-Channel TS001AA 79.000 W

Parametros principales

Vds Max 100 V

Id Max 18 A

RDSon 0.1 Ω

Potencia 79 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TS001AA
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	18 A
Pd - Maximum Power Dissipation	79 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	100 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.1 Ohm

¿Que es el RFB18N10CS?

El RFB18N10CS es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TS001AA. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 18A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.1 Ohm.

Los MOSFET como el RFB18N10CS se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el RFB18N10CS

¿Que tipo de transistor es el RFB18N10CS?

El RFB18N10CS es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TS001AA. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=18A, RDSon=0.1Ω, 79W.

¿Cual es el voltaje maximo del RFB18N10CS?

El RFB18N10CS soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el RFB18N10CS?

El RFB18N10CS viene en encapsulado TS001AA. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el RFB18N10CS?

El RFB18N10CS se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del RFB18N10CS?

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