MOSFET RFD3055LESM N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO252AA — Vds=60V, Id=11A, RDSon=0.107Ω, 38W
Parametros principales
| Package | TO252AA |
| tr - Rise Time | 105 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 105 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 11 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 38 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 16 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.107 Ohm |
¿Que es el RFD3055LESM?
El RFD3055LESM es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO252AA. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 11A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.107 Ohm.
Los MOSFET como el RFD3055LESM se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el RFD3055LESM
¿Que tipo de transistor es el RFD3055LESM?
El RFD3055LESM es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252AA. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=11A, RDSon=0.107Ω, 38W.
¿Cual es el voltaje maximo del RFD3055LESM?
El RFD3055LESM soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 16V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el RFD3055LESM?
El RFD3055LESM viene en encapsulado TO252AA. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el RFD3055LESM?
El RFD3055LESM se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del RFD3055LESM?
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