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MOS
FET

MOSFET RJK60S5DPK-M0 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO3PSG — Vds=600V, Id=20A, RDSon=0.178Ω, 192.3W

MOSFET N-Channel TO3PSG 192.300 W

Parametros principales

Vds Max 600 V

Id Max 20 A

RDSon 0.178 Ω

Vgs Max 30 V

Potencia 192.3 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO3PSG
tr - Rise Time	25 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	2160 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	20 A
Pd - Maximum Power Dissipation	192.3 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	30 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	600 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.178 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del RJK60S5DPK-M0:

¿Que es el RJK60S5DPK-M0?

El RJK60S5DPK-M0 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO3PSG. Soporta hasta 600V entre drain y source con una corriente maxima de 20A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.178 Ohm.

Los MOSFET como el RJK60S5DPK-M0 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el RJK60S5DPK-M0

¿Con que transistor puedo reemplazar el RJK60S5DPK-M0?

Los reemplazos compatibles para el RJK60S5DPK-M0 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, IRF1404, RJK6025DPE, RJK6026DPE, y 14 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el RJK60S5DPK-M0?

El RJK60S5DPK-M0 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3PSG. Sus parametros principales son: Vds=600V, Id=20A, RDSon=0.178Ω, 192.3W.

¿Cual es el voltaje maximo del RJK60S5DPK-M0?

El RJK60S5DPK-M0 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el RJK60S5DPK-M0?

El RJK60S5DPK-M0 viene en encapsulado TO3PSG. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el RJK60S5DPK-M0?

El RJK60S5DPK-M0 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del RJK60S5DPK-M0?

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