MOSFET RJU002N06T106 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado UMT3 — Vds=60V, Id=0.2A, RDSon=2.3Ω, 0.2W
Parametros principales
| Package | UMT3 |
| tr - Rise Time | 7 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 7 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 2.3 Ohm |
¿Que es el RJU002N06T106?
El RJU002N06T106 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado UMT3. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 0.2A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 2.3 Ohm.
Los MOSFET como el RJU002N06T106 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el RJU002N06T106
¿Que tipo de transistor es el RJU002N06T106?
El RJU002N06T106 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado UMT3. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=0.2A, RDSon=2.3Ω, 0.2W.
¿Cual es el voltaje maximo del RJU002N06T106?
El RJU002N06T106 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 12V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el RJU002N06T106?
El RJU002N06T106 viene en encapsulado UMT3. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el RJU002N06T106?
El RJU002N06T106 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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