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MOS
FET

MOSFET RQ3L050GN N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado HSMT8 — Vds=60V, Id=5A, RDSon=0.061Ω, 2W

MOSFET N-Channel HSMT8 2.000 W

Parametros principales

Vds Max 60 V

Id Max 5 A

RDSon 0.061 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 2 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	HSMT8
tr - Rise Time	4.9 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	52 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	5 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.061 Ohm

¿Que es el RQ3L050GN?

El RQ3L050GN es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado HSMT8. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 5A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.061 Ohm.

Los MOSFET como el RQ3L050GN se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el RQ3L050GN

¿Que tipo de transistor es el RQ3L050GN?

El RQ3L050GN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado HSMT8. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=5A, RDSon=0.061Ω, 2W.

¿Cual es el voltaje maximo del RQ3L050GN?

El RQ3L050GN soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el RQ3L050GN?

El RQ3L050GN viene en encapsulado HSMT8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el RQ3L050GN?

El RQ3L050GN se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del RQ3L050GN?

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