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MOS
FET

MOSFET RQJ0302NGDQA P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado SC59A MPAK — Vds=30V, Id=2.2A, RDSon=0.173Ω, 0.8W

MOSFET P-Channel SC59A MPAK 0.800 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 2.2 A

RDSon 0.173 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 0.8 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SC59A MPAK
tr - Rise Time	25 nS
Type of Control Channel	P-Channel
Coss - Output Capacitance	42 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	2.2 A
Pd - Maximum Power Dissipation	0.8 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.173 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del RQJ0302NGDQA:

RQJ0201UGDQA MOSFET P-Channel RQJ0202VGDQA MOSFET P-Channel RQJ0203WGDQA MOSFET P-Channel RQJ0204XGDQA MOSFET P-Channel RQJ0301HGDQS MOSFET P-Channel RQJ0303PGDQA MOSFET P-Channel RQJ0304DQDQA MOSFET P-Channel RQJ0304DQDQS MOSFET P-Channel RQJ0305EQDQA MOSFET P-Channel RQJ0305EQDQS MOSFET P-Channel RQJ0306FQDQA MOSFET P-Channel RQJ0306FQDQS MOSFET P-Channel RQJ0601DGDQS MOSFET P-Channel

¿Que es el RQJ0302NGDQA?

El RQJ0302NGDQA es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado SC59A MPAK. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 2.2A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.173 Ohm.

Los MOSFET como el RQJ0302NGDQA se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el RQJ0302NGDQA

¿Con que transistor puedo reemplazar el RQJ0302NGDQA?

Los reemplazos compatibles para el RQJ0302NGDQA incluyen: RQJ0201UGDQA, RQJ0202VGDQA, RQJ0203WGDQA, RQJ0204XGDQA, RQJ0301HGDQS, RQJ0303PGDQA, RQJ0304DQDQA, RQJ0304DQDQS, RQJ0305EQDQA, RQJ0305EQDQS, y 3 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el RQJ0302NGDQA?

El RQJ0302NGDQA es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SC59A MPAK. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=2.2A, RDSon=0.173Ω, 0.8W.

¿Cual es el voltaje maximo del RQJ0302NGDQA?

El RQJ0302NGDQA soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el RQJ0302NGDQA?

El RQJ0302NGDQA viene en encapsulado SC59A MPAK. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el RQJ0302NGDQA?

El RQJ0302NGDQA se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del RQJ0302NGDQA?

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