MOSFET RS1G150MN N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado HSOP8 — Vds=40V, Id=15A, RDSon=0.0106Ω, 3W
Parametros principales
| Package | HSOP8 |
| tr - Rise Time | 5.7 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 205 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 15 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 40 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0106 Ohm |
¿Que es el RS1G150MN?
El RS1G150MN es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado HSOP8. Soporta hasta 40V entre drain y source con una corriente maxima de 15A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0106 Ohm.
Los MOSFET como el RS1G150MN se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el RS1G150MN
¿Que tipo de transistor es el RS1G150MN?
El RS1G150MN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado HSOP8. Sus parametros principales son: Vds=40V, Id=15A, RDSon=0.0106Ω, 3W.
¿Cual es el voltaje maximo del RS1G150MN?
El RS1G150MN soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 40V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el RS1G150MN?
El RS1G150MN viene en encapsulado HSOP8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el RS1G150MN?
El RS1G150MN se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del RS1G150MN?
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