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MOS
FET

MOSFET RU60E16R N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-220 — Vds=60V, Id=16A, RDSon=0.08Ω, 42W

MOSFET N-Channel TO-220 42.000 W

Parametros principales

Vds Max 60 V

Id Max 16 A

RDSon 0.08 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 42 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO-220
tr - Rise Time	18 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	75 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	16 A
Pd - Maximum Power Dissipation	42 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.08 Ohm

¿Que es el RU60E16R?

El RU60E16R es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-220. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 16A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.08 Ohm.

Los MOSFET como el RU60E16R se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el RU60E16R

¿Que tipo de transistor es el RU60E16R?

El RU60E16R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=16A, RDSon=0.08Ω, 42W.

¿Cual es el voltaje maximo del RU60E16R?

El RU60E16R soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el RU60E16R?

El RU60E16R viene en encapsulado TO-220. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el RU60E16R?

El RU60E16R se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del RU60E16R?

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