MOSFET S-SRK7002LT1G N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT23 — Vds=60V, Id=0.115A, RDSon=7.5Ω, 0.225W
Parametros principales
| Package | SOT23 |
| Marking Code | RK |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 10 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.115 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.225 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| |VGSth| - Maximum Gate-Threshold Voltage | 2.5 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 7.5 Ohm |
¿Que es el S-SRK7002LT1G?
El S-SRK7002LT1G es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT23. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 0.115A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 7.5 Ohm.
Los MOSFET como el S-SRK7002LT1G se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el S-SRK7002LT1G
¿Que tipo de transistor es el S-SRK7002LT1G?
El S-SRK7002LT1G es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT23. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=0.115A, RDSon=7.5Ω, 0.225W.
¿Cual es el voltaje maximo del S-SRK7002LT1G?
El S-SRK7002LT1G soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el S-SRK7002LT1G?
El S-SRK7002LT1G viene en encapsulado SOT23. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el S-SRK7002LT1G?
El S-SRK7002LT1G se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del S-SRK7002LT1G?
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