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MOS
FET

MOSFET SCDP120R040NP4B N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO247-4L — Vds=1,200V, Id=66A, RDSon=0.0535Ω, 357W

MOSFET N-Channel TO247-4L 357.000 W

Parametros principales

Vds Max 1,200 V

Id Max 66 A

RDSon 0.0535 Ω

Vgs Max 15 V

Potencia 357 W

Tj Max 175 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO247-4L
tr - Rise Time	8 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	102 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	66 A
Pd - Maximum Power Dissipation	357 W
Tj - Maximum Junction Temperature	175 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	15 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	1200 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0535 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del SCDP120R040NP4B:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel NTTFS4C25NTAG MOSFET N-Channel NTTFS5C454NLTAG MOSFET N-Channel NVMFD024N06CT1G MOSFET N-Channel NVMFD5483NLT1G MOSFET N-Channel NVMFD5485NLT1G MOSFET N-Channel PE5E4BA MOSFET N-Channel PK6A4BA MOSFET N-Channel PKC26BB MOSFET N-Channel

¿Que es el SCDP120R040NP4B?

El SCDP120R040NP4B es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO247-4L. Soporta hasta 1,200V entre drain y source con una corriente maxima de 66A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0535 Ohm.

Los MOSFET como el SCDP120R040NP4B se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el SCDP120R040NP4B

¿Con que transistor puedo reemplazar el SCDP120R040NP4B?

Los reemplazos compatibles para el SCDP120R040NP4B incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, NTTFS4C25NTAG, NTTFS5C454NLTAG, NVMFD024N06CT1G, y 5 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el SCDP120R040NP4B?

El SCDP120R040NP4B es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO247-4L. Sus parametros principales son: Vds=1,200V, Id=66A, RDSon=0.0535Ω, 357W.

¿Cual es el voltaje maximo del SCDP120R040NP4B?

El SCDP120R040NP4B soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1,200V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 15V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el SCDP120R040NP4B?

El SCDP120R040NP4B viene en encapsulado TO247-4L. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el SCDP120R040NP4B?

El SCDP120R040NP4B se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del SCDP120R040NP4B?

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