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MOS
FET

MOSFET SDF10N100SXH N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO3 — Vds=1,000V, Id=10A, RDSon=1.2Ω, 300W

MOSFET N-Channel TO3 300.000 W

Parametros principales

Vds Max 1,000 V

Id Max 10 A

RDSon 1.2 Ω

Potencia 300 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO3
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	10 A
Pd - Maximum Power Dissipation	300 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	1000 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	1.2 Ohm

¿Que es el SDF10N100SXH?

El SDF10N100SXH es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO3. Soporta hasta 1,000V entre drain y source con una corriente maxima de 10A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 1.2 Ohm.

Los MOSFET como el SDF10N100SXH se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el SDF10N100SXH

¿Que tipo de transistor es el SDF10N100SXH?

El SDF10N100SXH es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3. Sus parametros principales son: Vds=1,000V, Id=10A, RDSon=1.2Ω, 300W.

¿Cual es el voltaje maximo del SDF10N100SXH?

El SDF10N100SXH soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 1,000V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el SDF10N100SXH?

El SDF10N100SXH viene en encapsulado TO3. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el SDF10N100SXH?

El SDF10N100SXH se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del SDF10N100SXH?

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