MOSFET SDF200NA10HE N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado NA — Vds=100V, Id=200A, RDSon=0.065Ω, 900W
Parametros principales
| Package | NA |
| tr - Rise Time | 100 max nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1500 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 200 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 900 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.065 Ohm |
¿Que es el SDF200NA10HE?
El SDF200NA10HE es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado NA. Soporta hasta 100V entre drain y source con una corriente maxima de 200A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.065 Ohm.
Los MOSFET como el SDF200NA10HE se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el SDF200NA10HE
¿Que tipo de transistor es el SDF200NA10HE?
El SDF200NA10HE es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado NA. Sus parametros principales son: Vds=100V, Id=200A, RDSon=0.065Ω, 900W.
¿Cual es el voltaje maximo del SDF200NA10HE?
El SDF200NA10HE soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el SDF200NA10HE?
El SDF200NA10HE viene en encapsulado NA. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el SDF200NA10HE?
El SDF200NA10HE se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del SDF200NA10HE?
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