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MOS
FET

MOSFET SDF75NA20 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado GBN — Vds=200V, Id=75A, RDSon=0.035Ω, 450W

MOSFET N-Channel GBN 450.000 W

Parametros principales

Vds Max 200 V
Id Max 75 A
RDSon 0.035 Ω
Vgs Max 20 V
Potencia 450 W
Tj Max 150 °C
Especificaciones completas
Package GBN
tr - Rise Time 180 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 1950 pF
|Id| - Maximum Drain Current 75 A
Pd - Maximum Power Dissipation 450 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 200 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.035 Ohm

¿Que es el SDF75NA20?

El SDF75NA20 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado GBN. Soporta hasta 200V entre drain y source con una corriente maxima de 75A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.035 Ohm.

Los MOSFET como el SDF75NA20 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el SDF75NA20

¿Que tipo de transistor es el SDF75NA20?

El SDF75NA20 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado GBN. Sus parametros principales son: Vds=200V, Id=75A, RDSon=0.035Ω, 450W.

¿Cual es el voltaje maximo del SDF75NA20?

El SDF75NA20 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el SDF75NA20?

El SDF75NA20 viene en encapsulado GBN. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el SDF75NA20?

El SDF75NA20 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del SDF75NA20?

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