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MOS
FET

MOSFET SI1967DH-T1-GE3 P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado SC70-6 — Vds=20V, Id=1.6A, RDSon=0.155Ω, 1.14W

MOSFET P-Channel SC70-6 1.140 W

Parametros principales

Vds Max 20 V

Id Max 1.6 A

RDSon 0.155 Ω

Vgs Max 12 V

Potencia 1.14 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SC70-6
tr - Rise Time	25 nS
Type of Control Channel	P-Channel
Coss - Output Capacitance	45 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	1.6 A
Pd - Maximum Power Dissipation	1.14 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	12 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	20 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.155 typ Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del SI1967DH-T1-GE3:

RFP6P08 MOSFET P-Channel SDM4953A MOSFET P-Channel SI2301ADS-T1 MOSFET P-Channel SI2301BDS-T1-GE3 MOSFET P-Channel SI2301CDS-T1 MOSFET P-Channel SI2301DS-T1-GE3 MOSFET P-Channel

¿Que es el SI1967DH-T1-GE3?

El SI1967DH-T1-GE3 es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado SC70-6. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 1.6A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.155 Ohm.

Los MOSFET como el SI1967DH-T1-GE3 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el SI1967DH-T1-GE3

¿Con que transistor puedo reemplazar el SI1967DH-T1-GE3?

Los reemplazos compatibles para el SI1967DH-T1-GE3 incluyen: RFP6P08, SDM4953A, SI2301ADS-T1, SI2301BDS-T1-GE3, SI2301CDS-T1, SI2301DS-T1-GE3. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el SI1967DH-T1-GE3?

El SI1967DH-T1-GE3 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SC70-6. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=1.6A, RDSon=0.155Ω, 1.14W.

¿Cual es el voltaje maximo del SI1967DH-T1-GE3?

El SI1967DH-T1-GE3 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 12V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el SI1967DH-T1-GE3?

El SI1967DH-T1-GE3 viene en encapsulado SC70-6. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el SI1967DH-T1-GE3?

El SI1967DH-T1-GE3 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del SI1967DH-T1-GE3?

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