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MOS
FET

MOSFET SI3407DV-T1 P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado TSOP6 — Vds=30V, Id=4A, RDSon=0.055Ω, 2W

MOSFET P-Channel TSOP6 2.000 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 4 A

RDSon 0.055 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 2 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TSOP6
tr - Rise Time	80 nS
Type of Control Channel	P-Channel
Coss - Output Capacitance	80 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	4 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.055 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del SI3407DV-T1:

AO3401 MOSFET P-Channel SDM9433 MOSFET P-Channel SDM9435A MOSFET P-Channel SI2369DS-T1 MOSFET P-Channel SI2399CDS-T1 MOSFET P-Channel

¿Que es el SI3407DV-T1?

El SI3407DV-T1 es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado TSOP6. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 4A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.055 Ohm.

Los MOSFET como el SI3407DV-T1 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el SI3407DV-T1

¿Con que transistor puedo reemplazar el SI3407DV-T1?

Los reemplazos compatibles para el SI3407DV-T1 incluyen: AO3401, SDM9433, SDM9435A, SI2369DS-T1, SI2399CDS-T1. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el SI3407DV-T1?

El SI3407DV-T1 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TSOP6. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=4A, RDSon=0.055Ω, 2W.

¿Cual es el voltaje maximo del SI3407DV-T1?

El SI3407DV-T1 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el SI3407DV-T1?

El SI3407DV-T1 viene en encapsulado TSOP6. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el SI3407DV-T1?

El SI3407DV-T1 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del SI3407DV-T1?

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