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MOS
FET

MOSFET SI3460DV-T1 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TSOP6 — Vds=30V, Id=5.5A, RDSon=0.03Ω, 1.3W

MOSFET N-Channel TSOP6 1.300 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 5.5 A

RDSon 0.03 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 1.3 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TSOP6
tr - Rise Time	20 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	100 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	5.5 A
Pd - Maximum Power Dissipation	1.3 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.03 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del SI3460DV-T1:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel CS25N06B8 MOSFET N-Channel CS2N70A3R1-G MOSFET N-Channel CS2N80A3HY MOSFET N-Channel CS460FA9H MOSFET N-Channel CS4N65A3HD1-G MOSFET N-Channel CS4N65FA9HD MOSFET N-Channel NP32N055I MOSFET N-Channel SDM9926 MOSFET N-Channel

¿Que es el SI3460DV-T1?

El SI3460DV-T1 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TSOP6. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 5.5A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.03 Ohm.

Los MOSFET como el SI3460DV-T1 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el SI3460DV-T1

¿Con que transistor puedo reemplazar el SI3460DV-T1?

Los reemplazos compatibles para el SI3460DV-T1 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, CS25N06B8, CS2N70A3R1-G, CS2N80A3HY, y 5 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el SI3460DV-T1?

El SI3460DV-T1 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TSOP6. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=5.5A, RDSon=0.03Ω, 1.3W.

¿Cual es el voltaje maximo del SI3460DV-T1?

El SI3460DV-T1 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el SI3460DV-T1?

El SI3460DV-T1 viene en encapsulado TSOP6. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el SI3460DV-T1?

El SI3460DV-T1 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del SI3460DV-T1?

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