MOSFET SI3981DV P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado TSOP-6 — Vds=20V, Id=1.6A, RDSon=0.185Ω, 0.8W
Parametros principales
| Package | TSOP-6 |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.6 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.8 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 8 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.185 Ohm |
¿Que es el SI3981DV?
El SI3981DV es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado TSOP-6. Soporta hasta 20V entre drain y source con una corriente maxima de 1.6A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.185 Ohm.
Los MOSFET como el SI3981DV se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el SI3981DV
¿Que tipo de transistor es el SI3981DV?
El SI3981DV es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TSOP-6. Sus parametros principales son: Vds=20V, Id=1.6A, RDSon=0.185Ω, 0.8W.
¿Cual es el voltaje maximo del SI3981DV?
El SI3981DV soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 8V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el SI3981DV?
El SI3981DV viene en encapsulado TSOP-6. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el SI3981DV?
El SI3981DV se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del SI3981DV?
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