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MOS
FET

MOSFET SI4948BEY-T1-E3 P-Channel

MOSFET P-Channel — Encapsulado SO8 — Vds=60V, Id=5.3A, RDSon=0.054Ω, 2W

MOSFET P-Channel SO8 2.000 W

Parametros principales

Vds Max 60 V

Id Max 5.3 A

RDSon 0.054 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 2 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SO8
tr - Rise Time	8 nS
Type of Control Channel	P-Channel
Coss - Output Capacitance	210 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	5.3 A
Pd - Maximum Power Dissipation	2 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	60 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.054 typ Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del SI4948BEY-T1-E3:

4435 MOSFET P-Channel SI4947DY MOSFET P-Channel SI4953ADY-T1-E3 MOSFET P-Channel SI4953DY-T1-E3 MOSFET P-Channel SI6423DQ-T1 MOSFET P-Channel SI6435ADQ-T1 MOSFET P-Channel SI6913DQ-T1 MOSFET P-Channel SI9933ADY MOSFET P-Channel

¿Que es el SI4948BEY-T1-E3?

El SI4948BEY-T1-E3 es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado SO8. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 5.3A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.054 Ohm.

Los MOSFET como el SI4948BEY-T1-E3 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el SI4948BEY-T1-E3

¿Con que transistor puedo reemplazar el SI4948BEY-T1-E3?

Los reemplazos compatibles para el SI4948BEY-T1-E3 incluyen: 4435, SI4947DY, SI4953ADY-T1-E3, SI4953DY-T1-E3, SI6423DQ-T1, SI6435ADQ-T1, SI6913DQ-T1, SI9933ADY. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el SI4948BEY-T1-E3?

El SI4948BEY-T1-E3 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SO8. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=5.3A, RDSon=0.054Ω, 2W.

¿Cual es el voltaje maximo del SI4948BEY-T1-E3?

El SI4948BEY-T1-E3 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el SI4948BEY-T1-E3?

El SI4948BEY-T1-E3 viene en encapsulado SO8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el SI4948BEY-T1-E3?

El SI4948BEY-T1-E3 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del SI4948BEY-T1-E3?

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