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MOS
FET

MOSFET SI6410DQ N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TSSOP-8 — Vds=30V, Id=7.8A, RDSon=0.014Ω, 1.5W

MOSFET N-Channel TSSOP-8 1.500 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 7.8 A

RDSon 0.014 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 1.5 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TSSOP-8
tr - Rise Time	10 nS
Type of Control Channel	N-Channel
\|Id\| - Maximum Drain Current	7.8 A
Pd - Maximum Power Dissipation	1.5 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.014 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del SI6410DQ:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel IRFP260 MOSFET N-Channel SI5936DU MOSFET N-Channel SI5944DU MOSFET N-Channel SI5980DU MOSFET N-Channel SI6404DQ MOSFET N-Channel

¿Que es el SI6410DQ?

El SI6410DQ es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TSSOP-8. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 7.8A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.014 Ohm.

Los MOSFET como el SI6410DQ se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el SI6410DQ

¿Con que transistor puedo reemplazar el SI6410DQ?

Los reemplazos compatibles para el SI6410DQ incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, IRFP260, SI5936DU, SI5944DU, y 2 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el SI6410DQ?

El SI6410DQ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TSSOP-8. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=7.8A, RDSon=0.014Ω, 1.5W.

¿Cual es el voltaje maximo del SI6410DQ?

El SI6410DQ soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el SI6410DQ?

El SI6410DQ viene en encapsulado TSSOP-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el SI6410DQ?

El SI6410DQ se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del SI6410DQ?

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