MOSFET SI68H11 N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO220 TO220H TO263 — Vds=68V, Id=110A, RDSon=0.008Ω, 65W
Parametros principales
| Package | TO220 TO220H TO263 |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 580 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 110 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 25 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 68 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.008 Ohm |
¿Que es el SI68H11?
El SI68H11 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO220 TO220H TO263. Soporta hasta 68V entre drain y source con una corriente maxima de 110A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.008 Ohm.
Los MOSFET como el SI68H11 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el SI68H11
¿Que tipo de transistor es el SI68H11?
El SI68H11 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220 TO220H TO263. Sus parametros principales son: Vds=68V, Id=110A, RDSon=0.008Ω, 65W.
¿Cual es el voltaje maximo del SI68H11?
El SI68H11 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 68V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 25V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el SI68H11?
El SI68H11 viene en encapsulado TO220 TO220H TO263. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el SI68H11?
El SI68H11 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del SI68H11?
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