MOSFET SIA427ADJ P-Channel
MOSFET P-Channel — Encapsulado SC-70-6L — Vds=8V, Id=12A, RDSon=0.016Ω, 3.5W
Parametros principales
| Package | SC-70-6L |
| tr - Rise Time | 20 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 735 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 5 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 8 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.016 Ohm |
¿Que es el SIA427ADJ?
El SIA427ADJ es un transistor MOSFET de canal P-Channel en encapsulado SC-70-6L. Soporta hasta 8V entre drain y source con una corriente maxima de 12A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.016 Ohm.
Los MOSFET como el SIA427ADJ se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el SIA427ADJ
¿Que tipo de transistor es el SIA427ADJ?
El SIA427ADJ es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SC-70-6L. Sus parametros principales son: Vds=8V, Id=12A, RDSon=0.016Ω, 3.5W.
¿Cual es el voltaje maximo del SIA427ADJ?
El SIA427ADJ soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 8V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 5V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el SIA427ADJ?
El SIA427ADJ viene en encapsulado SC-70-6L. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el SIA427ADJ?
El SIA427ADJ se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del SIA427ADJ?
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