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MOS
FET

MOSFET SIA472EDJ N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado SOT-363 SC-70-6 — Vds=30V, Id=12A, RDSon=0.02Ω, 19.2W

MOSFET N-Channel SOT-363 SC-70-6 19.200 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 12 A

RDSon 0.02 Ω

Vgs Max 12 V

Potencia 19.2 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	SOT-363 SC-70-6
tr - Rise Time	23 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	132 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	12 A
Pd - Maximum Power Dissipation	19.2 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	12 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.02 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del SIA472EDJ:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel HY1906P MOSFET N-Channel SI7972DP MOSFET N-Channel SI8824EDB MOSFET N-Channel SI8902AEDB MOSFET N-Channel SIA918EDJ MOSFET N-Channel SIHA21N60EF MOSFET N-Channel SIHA22N60AE MOSFET N-Channel SIHD4N80E MOSFET N-Channel SIHG17N80E MOSFET N-Channel SIHG70N60EF MOSFET N-Channel

¿Que es el SIA472EDJ?

El SIA472EDJ es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SOT-363 SC-70-6. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 12A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.02 Ohm.

Los MOSFET como el SIA472EDJ se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el SIA472EDJ

¿Con que transistor puedo reemplazar el SIA472EDJ?

Los reemplazos compatibles para el SIA472EDJ incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, HY1906P, SI7972DP, SI8824EDB, y 7 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el SIA472EDJ?

El SIA472EDJ es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-363 SC-70-6. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=12A, RDSon=0.02Ω, 19.2W.

¿Cual es el voltaje maximo del SIA472EDJ?

El SIA472EDJ soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 12V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el SIA472EDJ?

El SIA472EDJ viene en encapsulado SOT-363 SC-70-6. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el SIA472EDJ?

El SIA472EDJ se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del SIA472EDJ?

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