MOSFET SIHD5N50D N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-252 — Vds=500V, Id=5.3A, RDSon=1.5Ω, 104W
Parametros principales
| Package | TO-252 |
| tr - Rise Time | 11 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 34 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 104 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.5 Ohm |
¿Que es el SIHD5N50D?
El SIHD5N50D es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-252. Soporta hasta 500V entre drain y source con una corriente maxima de 5.3A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 1.5 Ohm.
Los MOSFET como el SIHD5N50D se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el SIHD5N50D
¿Que tipo de transistor es el SIHD5N50D?
El SIHD5N50D es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252. Sus parametros principales son: Vds=500V, Id=5.3A, RDSon=1.5Ω, 104W.
¿Cual es el voltaje maximo del SIHD5N50D?
El SIHD5N50D soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 30V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el SIHD5N50D?
El SIHD5N50D viene en encapsulado TO-252. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el SIHD5N50D?
El SIHD5N50D se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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