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MOS
FET

MOSFET SIHFP360 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado TO-247AC — Vds=400V, Id=23A, RDSon=0.2Ω, 280W

MOSFET N-Channel TO-247AC 280.000 W

Parametros principales

Vds Max 400 V

Id Max 23 A

RDSon 0.2 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 280 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO-247AC
tr - Rise Time	79 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	1100 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	23 A
Pd - Maximum Power Dissipation	280 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	400 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.2 Ohm

¿Que es el SIHFP360?

El SIHFP360 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado TO-247AC. Soporta hasta 400V entre drain y source con una corriente maxima de 23A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.2 Ohm.

Los MOSFET como el SIHFP360 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el SIHFP360

¿Que tipo de transistor es el SIHFP360?

El SIHFP360 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-247AC. Sus parametros principales son: Vds=400V, Id=23A, RDSon=0.2Ω, 280W.

¿Cual es el voltaje maximo del SIHFP360?

El SIHFP360 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 400V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el SIHFP360?

El SIHFP360 viene en encapsulado TO-247AC. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el SIHFP360?

El SIHFP360 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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