MOSFET SIR826ADP N-Channel
MOSFET N-Channel — Encapsulado SO-8 — Vds=80V, Id=23.8A, RDSon=0.0055Ω, 6.25W
Parametros principales
| Package | SO-8 |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 1100 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 23.8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 6.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 80 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0055 Ohm |
¿Que es el SIR826ADP?
El SIR826ADP es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado SO-8. Soporta hasta 80V entre drain y source con una corriente maxima de 23.8A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0055 Ohm.
Los MOSFET como el SIR826ADP se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el SIR826ADP
¿Que tipo de transistor es el SIR826ADP?
El SIR826ADP es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SO-8. Sus parametros principales son: Vds=80V, Id=23.8A, RDSon=0.0055Ω, 6.25W.
¿Cual es el voltaje maximo del SIR826ADP?
El SIR826ADP soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 80V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Que encapsulado tiene el SIR826ADP?
El SIR826ADP viene en encapsulado SO-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.
¿Para que sirve el SIR826ADP?
El SIR826ADP se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
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