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MOS
FET

MOSFET SIS476DN N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado 1212-8 — Vds=30V, Id=28.6A, RDSon=0.0025Ω, 3.7W

MOSFET N-Channel 1212-8 3.700 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 28.6 A

RDSon 0.0025 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 3.7 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	1212-8
tr - Rise Time	17 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	1040 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	28.6 A
Pd - Maximum Power Dissipation	3.7 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0025 Ohm

¿Que es el SIS476DN?

El SIS476DN es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado 1212-8. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 28.6A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0025 Ohm.

Los MOSFET como el SIS476DN se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

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Preguntas frecuentes sobre el SIS476DN

¿Que tipo de transistor es el SIS476DN?

El SIS476DN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado 1212-8. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=28.6A, RDSon=0.0025Ω, 3.7W.

¿Cual es el voltaje maximo del SIS476DN?

El SIS476DN soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el SIS476DN?

El SIS476DN viene en encapsulado 1212-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el SIS476DN?

El SIS476DN se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

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