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MOS
FET

MOSFET SISA88DN N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado POWERPAK-1212-8 — Vds=30V, Id=16.2A, RDSon=0.0067Ω, 3.2W

MOSFET N-Channel POWERPAK-1212-8 3.200 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 16.2 A

RDSon 0.0067 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 3.2 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	POWERPAK-1212-8
tr - Rise Time	28 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	305 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	16.2 A
Pd - Maximum Power Dissipation	3.2 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0067 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del SISA88DN:

10N60 MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel SIRA88DP MOSFET N-Channel SIRA96DP MOSFET N-Channel SIS472BDN MOSFET N-Channel SIS488DN MOSFET N-Channel SISA66DN MOSFET N-Channel SISA72DN MOSFET N-Channel SISA96DN MOSFET N-Channel SISB46DN MOSFET N-Channel SISS98DN MOSFET N-Channel SIUD402ED MOSFET N-Channel SIUD412ED MOSFET N-Channel

¿Que es el SISA88DN?

El SISA88DN es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado POWERPAK-1212-8. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 16.2A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0067 Ohm.

Los MOSFET como el SISA88DN se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el SISA88DN

¿Con que transistor puedo reemplazar el SISA88DN?

Los reemplazos compatibles para el SISA88DN incluyen: 10N60, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, SIRA88DP, SIRA96DP, y 9 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el SISA88DN?

El SISA88DN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado POWERPAK-1212-8. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=16.2A, RDSon=0.0067Ω, 3.2W.

¿Cual es el voltaje maximo del SISA88DN?

El SISA88DN soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el SISA88DN?

El SISA88DN viene en encapsulado POWERPAK-1212-8. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el SISA88DN?

El SISA88DN se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del SISA88DN?

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