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BJT

Transistor 3DD13007_B8 NPN — BJT

BJT NPN — Encapsulado TO220AB — Vce=400V, Ic=8A, hFE=20, 80W

BJT NPN TO220AB 80.000 W

Parametros principales

Vce Max 400 V

Vcb Max 700 V

Ic Max 8 A

hFE Min 20

Potencia 80 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO220AB
Polarity	NPN
Material of Transistor	Si
Transition Frequency (ft)	5 MHz
Maximum Collector Current \|Ic max\|	8 A
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	9 V
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	700 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	400 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	80 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	20

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del 3DD13007_B8:

3DD13005_F9-1 BJT NPN 3DD13005_G3D BJT NPN 3DD13005_G7D BJT NPN 3DD13005_G8D BJT NPN 3DD13005_GRD BJT NPN 3DD13005_N7D BJT NPN 3DD13005_N8D BJT NPN 3DD13005_P8D BJT NPN 3DD13007_B8D BJT NPN 3DD13007_H8D BJT NPN 3DD13007_X1 BJT NPN 3DD13007_Y8 BJT NPN 3DD13007_Z7 BJT NPN 3DD13007_Z8 BJT NPN 3DD13009_A8 BJT NPN 3DD13009_AN BJT NPN

¿Que es el 3DD13007_B8?

El 3DD13007_B8 es un transistor BJT de tipo NPN en encapsulado TO220AB. Tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 400V y corriente maxima de colector (Ic) de 8A. La ganancia minima (hFE) es 20.

Los transistores BJT como el 3DD13007_B8 se usan en amplificacion de senales, conmutacion, regulacion de voltaje y circuitos de control. Su versatilidad los hace componentes fundamentales en electronica analogica y digital.

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Preguntas frecuentes sobre el 3DD13007_B8

¿Con que transistor puedo reemplazar el 3DD13007_B8?

Los reemplazos compatibles para el 3DD13007_B8 incluyen: 3DD13005_F9-1, 3DD13005_G3D, 3DD13005_G7D, 3DD13005_G8D, 3DD13005_GRD, 3DD13005_N7D, 3DD13005_N8D, 3DD13005_P8D, 3DD13007_B8D, 3DD13007_H8D, y 6 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el 3DD13007_B8?

El 3DD13007_B8 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO220AB. Sus parametros principales son: Vce=400V, Ic=8A, hFE=20, 80W.

¿Cual es el voltaje maximo del 3DD13007_B8?

El 3DD13007_B8 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 400V y colector-base (Vcb) de 700V. Trabajar por encima de estos valores puede destruir el componente.

¿Que encapsulado tiene el 3DD13007_B8?

El 3DD13007_B8 viene en encapsulado TO220AB. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el 3DD13007_B8?

El 3DD13007_B8 se usa tipicamente en amplificacion de senales, conmutacion, regulacion de voltaje y etapas de entrada/salida. Es un componente versatil presente en una gran variedad de circuitos analogicos y digitales.

¿Es gratis consultar los datos del 3DD13007_B8?

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