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BJT

Transistor 3DD13009_AN NPN — BJT

BJT NPN — Encapsulado TO3PN — Vce=400V, Ic=12A, hFE=20, 120W

BJT NPN TO3PN 120.000 W

Parametros principales

Vce Max 400 V

Vcb Max 700 V

Ic Max 12 A

hFE Min 20

Potencia 120 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	TO3PN
Polarity	NPN
Material of Transistor	Si
Transition Frequency (ft)	4 MHz
Maximum Collector Current \|Ic max\|	12 A
Maximum Emitter-Base Voltage \|Veb\|	9 V
Maximum Collector-Base Voltage \|Vcb\|	700 V
Maximum Collector-Emitter Voltage \|Vce\|	400 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj)	150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc)	120 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN	20

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del 3DD13009_AN:

2SD718 BJT NPN 3DD13007_B8 BJT NPN 3DD13007_B8D BJT NPN 3DD13007_H8D BJT NPN 3DD13007_X1 BJT NPN 3DD13007_Y8 BJT NPN 3DD13007_Z7 BJT NPN 3DD13007_Z8 BJT NPN 3DD13009_A8 BJT NPN 3DD13009_C8 BJT NPN 3DD13009_X8D BJT NPN 3DD13012_A8 BJT NPN 3DD13012_AN BJT NPN 3DD3015_A1 BJT NPN 3DD3015_A3 BJT NPN 3DD3020_A3 BJT NPN 3DD3020_A6 BJT NPN

¿Que es el 3DD13009_AN?

El 3DD13009_AN es un transistor BJT de tipo NPN en encapsulado TO3PN. Tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 400V y corriente maxima de colector (Ic) de 12A. La ganancia minima (hFE) es 20.

Los transistores BJT como el 3DD13009_AN se usan en amplificacion de senales, conmutacion, regulacion de voltaje y circuitos de control. Su versatilidad los hace componentes fundamentales en electronica analogica y digital.

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Preguntas frecuentes sobre el 3DD13009_AN

¿Con que transistor puedo reemplazar el 3DD13009_AN?

Los reemplazos compatibles para el 3DD13009_AN incluyen: 2SD718, 3DD13007_B8, 3DD13007_B8D, 3DD13007_H8D, 3DD13007_X1, 3DD13007_Y8, 3DD13007_Z7, 3DD13007_Z8, 3DD13009_A8, 3DD13009_C8, y 7 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el 3DD13009_AN?

El 3DD13009_AN es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3PN. Sus parametros principales son: Vce=400V, Ic=12A, hFE=20, 120W.

¿Cual es el voltaje maximo del 3DD13009_AN?

El 3DD13009_AN tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 400V y colector-base (Vcb) de 700V. Trabajar por encima de estos valores puede destruir el componente.

¿Que encapsulado tiene el 3DD13009_AN?

El 3DD13009_AN viene en encapsulado TO3PN. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el 3DD13009_AN?

El 3DD13009_AN se usa tipicamente en amplificacion de senales, conmutacion, regulacion de voltaje y etapas de entrada/salida. Es un componente versatil presente en una gran variedad de circuitos analogicos y digitales.

¿Es gratis consultar los datos del 3DD13009_AN?

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