MOSFET RD12MVP1 N-Channel
MOSFET N-Channel — Vds=60V, Id=4A, 125W
Parametros principales
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
Transistores equivalentes y compatibles
Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del RD12MVP1:
¿Que es el RD12MVP1?
El RD12MVP1 es un transistor MOSFET de canal N-Channel. Soporta hasta 60V entre drain y source con una corriente maxima de 4A.
Los MOSFET como el RD12MVP1 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.
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Preguntas frecuentes sobre el RD12MVP1
¿Con que transistor puedo reemplazar el RD12MVP1?
Los reemplazos compatibles para el RD12MVP1 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, 7N65, RD02MUS2, RD05MMP1, y 13 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.
¿Que tipo de transistor es el RD12MVP1?
El RD12MVP1 es un transistor MOSFET N-Channel. Sus parametros principales son: Vds=60V, Id=4A, 125W.
¿Cual es el voltaje maximo del RD12MVP1?
El RD12MVP1 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.
¿Para que sirve el RD12MVP1?
El RD12MVP1 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.
¿Es gratis consultar los datos del RD12MVP1?
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