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MOS
FET

MOSFET PQ6S2JN N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado WLCSP — Vds=12V, Id=20A, RDSon=0.0014Ω, 1.6W

MOSFET N-Channel WLCSP 1.600 W

Parametros principales

Vds Max 12 V

Id Max 20 A

RDSon 0.0014 Ω

Vgs Max 8 V

Potencia 1.6 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	WLCSP
tr - Rise Time	3.1 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	1342 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	20 A
Pd - Maximum Power Dissipation	1.6 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	8 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	12 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.00135 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del PQ6S2JN:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel IRF640N MOSFET N-Channel PP9C15AT MOSFET N-Channel PP9H06BD MOSFET N-Channel PP9H06BEA MOSFET N-Channel PP9H06BI MOSFET N-Channel PP9H06BK MOSFET N-Channel PP9H06BV MOSFET N-Channel PQ5G4JN MOSFET N-Channel PQ5U2JN MOSFET N-Channel PQ6V2JN MOSFET N-Channel PQ6X6JN MOSFET N-Channel PR802BA33 MOSFET N-Channel PR812BA33 MOSFET N-Channel PT676BA MOSFET N-Channel PT6J6BA MOSFET N-Channel

¿Que es el PQ6S2JN?

El PQ6S2JN es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado WLCSP. Soporta hasta 12V entre drain y source con una corriente maxima de 20A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0014 Ohm.

Los MOSFET como el PQ6S2JN se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el PQ6S2JN

¿Con que transistor puedo reemplazar el PQ6S2JN?

Los reemplazos compatibles para el PQ6S2JN incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, IRF640N, PP9C15AT, PP9H06BD, y 12 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el PQ6S2JN?

El PQ6S2JN es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado WLCSP. Sus parametros principales son: Vds=12V, Id=20A, RDSon=0.0014Ω, 1.6W.

¿Cual es el voltaje maximo del PQ6S2JN?

El PQ6S2JN soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 12V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 8V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PQ6S2JN?

El PQ6S2JN viene en encapsulado WLCSP. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PQ6S2JN?

El PQ6S2JN se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del PQ6S2JN?

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