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MOS
FET

MOSFET PR812BA33 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado POWERFET — Vds=30V, Id=161A, RDSon=0.0012Ω, 50W

MOSFET N-Channel POWERFET 50.000 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 161 A

RDSon 0.0012 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 50 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	POWERFET
tr - Rise Time	75 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	1305 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	161 A
Pd - Maximum Power Dissipation	50 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.0012 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del PR812BA33:

10N60 MOSFET N-Channel 2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel PP9H06BK MOSFET N-Channel PP9H06BV MOSFET N-Channel PQ5G4JN MOSFET N-Channel PQ5U2JN MOSFET N-Channel PQ6S2JN MOSFET N-Channel PQ6V2JN MOSFET N-Channel PQ6X6JN MOSFET N-Channel PR802BA33 MOSFET N-Channel PT676BA MOSFET N-Channel PT6J6BA MOSFET N-Channel

¿Que es el PR812BA33?

El PR812BA33 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado POWERFET. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 161A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.0012 Ohm.

Los MOSFET como el PR812BA33 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el PR812BA33

¿Con que transistor puedo reemplazar el PR812BA33?

Los reemplazos compatibles para el PR812BA33 incluyen: 10N60, 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, PP9H06BK, PP9H06BV, y 8 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el PR812BA33?

El PR812BA33 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado POWERFET. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=161A, RDSon=0.0012Ω, 50W.

¿Cual es el voltaje maximo del PR812BA33?

El PR812BA33 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PR812BA33?

El PR812BA33 viene en encapsulado POWERFET. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PR812BA33?

El PR812BA33 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del PR812BA33?

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