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MOS
FET

MOSFET PR802BA33 N-Channel

MOSFET N-Channel — Encapsulado POWERFET — Vds=30V, Id=74A, RDSon=0.004Ω, 35W

MOSFET N-Channel POWERFET 35.000 W

Parametros principales

Vds Max 30 V

Id Max 74 A

RDSon 0.004 Ω

Vgs Max 20 V

Potencia 35 W

Tj Max 150 °C

Especificaciones completas ▼

Package	POWERFET
tr - Rise Time	66 nS
Type of Control Channel	N-Channel
Coss - Output Capacitance	699 pF
\|Id\| - Maximum Drain Current	74 A
Pd - Maximum Power Dissipation	35 W
Tj - Maximum Junction Temperature	150 °C
\|Vgs\| - Maximum Gate-Source Voltage	20 V
\|Vds\| - Maximum Drain-Source Voltage	30 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance	0.004 Ohm

Transistores equivalentes y compatibles

Los siguientes transistores pueden usarse como reemplazo del PR802BA33:

2SK701 MOSFET N-Channel 2SK702 MOSFET N-Channel 2SK703 MOSFET N-Channel 2SK704 MOSFET N-Channel 2SK705 MOSFET N-Channel 2SK709 MOSFET N-Channel 2SK711 MOSFET N-Channel IRF3710 MOSFET N-Channel PP9H06BI MOSFET N-Channel PP9H06BK MOSFET N-Channel PP9H06BV MOSFET N-Channel PQ5G4JN MOSFET N-Channel PQ5U2JN MOSFET N-Channel PQ6S2JN MOSFET N-Channel PQ6V2JN MOSFET N-Channel PQ6X6JN MOSFET N-Channel PR812BA33 MOSFET N-Channel PT676BA MOSFET N-Channel PT6J6BA MOSFET N-Channel

¿Que es el PR802BA33?

El PR802BA33 es un transistor MOSFET de canal N-Channel en encapsulado POWERFET. Soporta hasta 30V entre drain y source con una corriente maxima de 74A. Su resistencia en conduccion (RDSon) es de 0.004 Ohm.

Los MOSFET como el PR802BA33 se utilizan en circuitos de conmutacion, fuentes de alimentacion, inversores y etapas de potencia. Su baja resistencia en estado de conduccion los hace ideales para aplicaciones de alta eficiencia.

Si necesitas comparar parametros con los equivalentes, usa nuestro comparador lado a lado. Tambien podes explorar todos los transistores MOSFET disponibles.

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Preguntas frecuentes sobre el PR802BA33

¿Con que transistor puedo reemplazar el PR802BA33?

Los reemplazos compatibles para el PR802BA33 incluyen: 2SK701, 2SK702, 2SK703, 2SK704, 2SK705, 2SK709, 2SK711, IRF3710, PP9H06BI, PP9H06BK, y 9 mas. Verifica que los parametros clave (voltaje, corriente, encapsulado) sean compatibles con tu circuito antes de sustituir.

¿Que tipo de transistor es el PR802BA33?

El PR802BA33 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado POWERFET. Sus parametros principales son: Vds=30V, Id=74A, RDSon=0.004Ω, 35W.

¿Cual es el voltaje maximo del PR802BA33?

El PR802BA33 soporta un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30V y un voltaje maximo gate-source (Vgs) de 20V. Superado este limite, el transistor puede danarse permanentemente.

¿Que encapsulado tiene el PR802BA33?

El PR802BA33 viene en encapsulado POWERFET. Consulta el datasheet para ver el pinout exacto (disposicion de pines), ya que puede variar segun el fabricante.

¿Para que sirve el PR802BA33?

El PR802BA33 se usa tipicamente en conmutacion de potencia, fuentes switching, drivers de motor, control PWM y etapas de salida. Su bajo RDSon lo hace eficiente para aplicaciones donde se necesita minimizar la disipacion de calor.

¿Es gratis consultar los datos del PR802BA33?

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